●光波的特性與蝕刻
在了解幾種目前活躍的光刻技術之前，我們先來了解光波的特性。光波有多種頻率。頻率是指任意時間間隔內（通常為一秒鐘）通過空間中某一點的波數(shù)。它的計量單位是周（波）/秒，或赫茲（Hz）?？梢姽獾念l率稱為顏色，范圍是430萬億Hz（紅色）到750萬億Hz（紫羅蘭色）。當然，頻率的總范圍超出可見光譜之外，從不足十億Hz的無線電波到超過30億Hz的伽馬射線。
如上文所述，光波是能量波。光波的能量大小與其頻率成一定比例：高頻光的能量較高，低頻光的能量較低。因此，伽馬射線的能量最高，無線電波的能量最低。在可見光中，紫光能量最大，而紅光能量最小。
上圖中，我們可以明確看到EUV極端遠紫外光在光譜中的位置，這是一種波長極短的光刻技術，其曝光波長大約為13.5nm。按照目前理論上認為的波長與蝕刻精度關系，EUV技術能夠蝕刻出5nm以下工藝的晶體管。
隨著集成電路產(chǎn)品技術需求的提升，光刻技術也不斷地提高分辨率，以制作更微細的器件尺寸。全球光刻技術的進程。傳統(tǒng)上提高光刻技術的分辨率無非是縮短曝光波長及增大鏡頭的數(shù)值孔徑NA，通?？s短波長是最有效的方法之一。
但是目前在縮短波長方面，各家光刻設備商都遇到的困境，或者說縮短波長已經(jīng)成為整個行業(yè)最大的挑戰(zhàn)。在各種活躍的光刻技術中，EUV技術擁有最短的曝光波長，但是目前推進非常艱難，而193nm傳統(tǒng)光學光刻技術雖然老邁，但是加入了沉浸式技術配合之后，已經(jīng)能夠延伸到22nm左右工藝中。